Radiation hardened; Heavy ions; UTBB FDSOI; SRAM; SEU;
机译:基于简单的8T硬化单元,提高了22 nm UTBB FDSOI SRAM的SEU公差
机译:采用65 nm CMOS技术制造的标准和辐射硬化SRAM中的Alpha诱导的多个单元异常
机译:对65 nm SRAM中质子和重离子诱导的SEU的预测
机译:基于商业SRAM的FPGAα颗粒诱导的TMR硬化电路对多种SEU的敏感性评估
机译:硅锗HBTS中SEU的三维模拟和设计的辐射硬化。
机译:线粒体促凋亡Bcl-2家族蛋白对MEK–ERK依赖性多半胱氨酸蛋白酶的激活对重离子辐射诱导的神经胶质瘤细胞死亡至关重要
机译:用于3D单片14NM FDSOI SRAMS应用的变形和BTI的反偏见影响