aluminium compounds; buffer layers; electric fields; electron traps; gallium compounds; high electron mobility transistors; III-V semiconductors; semiconductor device models; two-dimensional electron gas; wide band gap semiconductors;
机译:分析场板对GaN MESFET和AlGaN / GaN HEMT中与缓冲器相关的滞后现象和电流崩溃的影响
机译:高k钝化层对AlGaN / GaN HEMT中与缓冲有关的击穿和电流崩塌的影响分析
机译:衬底偏置极性对AlGaN / GaN-on-Si功率器件中与缓冲有关的电流崩塌的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT中的缓冲相关电流崩溃的机制
机译:分析影响ALGaN / GaN HEMT安全运行的故障机理。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较