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岳远征; 郝跃; 张进城; 冯倩;
国务院学位办;
教育部;
西安电子科技大学学报;
AlGaN/GaN HEMT; Si,3N,4钝化; 电流崩塌;
机译:具有和不具有表面钝化的无电流崩塌i-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构抑制增强模式基于GaN的HEMT中的电流崩塌
机译:Algan / gan平面肖特基二极管中电流的稳态和瞬态行为以及电流崩塌的机理
机译:快速软开关电流-DLTS和CC-DLTFS研究LPCVD Si3N4钝化的AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌机理
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:alGaN / GaN HEmT中电流崩塌的机理和抑制
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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