MOSFET; Switches; Silicon carbide; Logic gates; Temperature; Capacitance; Junctions;
机译:从低温到高温的4H-SiC平面和沟槽栅极MOSFET的综合特性
机译:碳化硅(SiC)外延沟道MOSFET的特性
机译:高性能系统的大电流(> 1000A),高温(> 200℃)碳化硅沟槽MOSFET(TMOS)电源模块
机译:不同温度下沟槽和平面碳化硅(SiC)MOSFET的表征及比较
机译:4H-碳化硅MOSFET的建模和表征:高场,高温和瞬态效应。
机译:碳化硅(SIC)纳米晶体技术和特性及其在记忆结构中的应用
机译:不同的JFET设计有关3.3 kV平面栅极碳化硅MOSFET的导通和短路功能