具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法

摘要

一种具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法，所制作的MOSFET具有较高的阻断能力，包括：在SiC第一导电类型的衬底上外延生长多层不同掺杂的SiC外延层形成SiC基片，自下而上为第一导电类型缓冲层、第一导电类型漂移层、第二导电类型体区层、第一导电类型源区层，其中第一导电类型漂移层厚度满足一定穿通条件；形成主沟槽，主沟槽的两个槽角处具有圆弧化，沟槽底部无圆弧化的结构；刻蚀SiC基片形成终端结构；刻蚀SiC基片形成基区沟槽；在主沟槽中形成包括厚底部二氧化硅层、初级栅氧化层、次级栅氧化层三部分的栅氧化层；形成栅电极；在基区沟槽中形成源极金属接触，在SiC衬底的背面形成漏极金属接触，并形成欧姆接触；淀积钝化层并通孔金属互连。