Artificial intelligence; Hafnium oxide; Roads; Handheld computers; Logic gates; Tin;
机译:使用La_2O_3栅极电介质可进一步缩小等效氧化物厚度在0.5 nm以下的栅极电介质的优势
机译:双层有机-无机栅极电介质,用于塑料基板上的高性能,低压,单壁碳纳米管薄膜晶体管,互补逻辑门和p-n二极管
机译:考虑栅极电介质厚度缩放的InAs纳米线晶体管周围栅极的高K电介质的TCAD性能分析
机译:GE衬底栅极电介质的缩放
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:罗非鱼皮胶原蛋白水溶液的介电谱在500 MHz至2.5 THz之间的分层粘度
机译:栅极介电质量对在200mm Si衬底上开发无金的D型和E型凹栅AlGaN / GaN晶体管的影响