Logic gates; Silicon; Performance evaluation; FinFETs; Optimization; Passivation; Very large scale integration;
机译:采用14nm FinFET技术的兼容编译器的5.66 Mb / mm〜2 8T 1R1W寄存器文件
机译:14纳米FinFET逻辑CMOS工艺兼容的RRAM闪存,具有出色的抗隐身能力
机译:与SOI FinFET相比,改善了大体积FinFET DC性能
机译:第二代14/16nm节点兼容的应变-GE PFInfet,具有改进的性能,相对于先进的Si通道FinFET
机译:通过媒体访问控制层中普遍使用的兼容解决方案提高无线网络的性能。
机译:第2代MR兼容操纵器在经直肠前列腺活检指导中的可行性
机译:LDD的电气特性和无LDD的FinFET设备与14个NM技术节点兼容