机译:14纳米FinFET逻辑CMOS工艺兼容的RRAM闪存,具有出色的抗隐身能力
FinFETs; Logic gates; Hafnium compounds; Dielectrics; Ions;
机译:具有完全兼容的CMOS逻辑工艺的28nm 2T高价K $金属栅极嵌入式RRAM
机译:14nm CMOS FinFET中的64Gb / s 1.4pJ / b NRZ光接收器数据路径
机译:14纳米CMOS技术双栅极SOI FinFET中工艺引起的和统计可变性之间的相互作用
机译:首次在纯CMOS逻辑14nm FinFET平台上演示闪存RRAM,具有出色的抗潜行和MLC能力
机译:基于逻辑兼容嵌入式闪存技术的非挥发性神经形态计算
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:一种新型电阻切换识别方法,通过放松特性进行潜行路径约束的选择/无RRAM应用