Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III–V on Si for CMOS photonics

机译：用于CMOS光子学的SiGe / Ge和III-V在Si上的异质集成

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We have investigated CMOS photonics based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V semiconductors on Si, which gives us opportunities to enhance functionalities of Si photonics through their superior material properties for electronic-photonics integrated circuits.

机译：我们已经研究了基于SiGe / Ge和III-V半导体在Si上的异质集成的CMOS光子，这为我们提供了通过其用于电子光子集成电路的优异材料性能来增强Si光子功能的机会。

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来源
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》|2016年|1-2|共2页
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作者
Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi;
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正文语种
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关键词
Photonics; CMOS integrated circuits; Silicon; Silicon germanium; Modulation; Arrayed waveguide gratings;

机译：光子学; CMOS集成电路;硅;硅锗;调制;阵列波导光栅;

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