法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-02-06
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-07-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-11
公开
公开
机译: 通过将绝缘体上硅形成层与含锗层间扩散相结合的方法,在绝缘层上制造基本上弛豫的高质量SiGe晶体层
机译: 具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
机译: 用于应变Si CMOS应用的高品质绝缘体上绝缘锗硅的创建方法