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机译:在离子注入的硅衬底上制备高质量的应变弛豫薄SiGe层
Univ Tokyo, Dept Appl Phys, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
FIELD-EFFECT TRANSISTORS; ON-INSULATOR; RELAXATION; HETEROSTRUCTURES; MOBILITY;
机译:离子注入Si衬底上生长的应变松弛SiGe薄膜中的位错分布
机译:离子注入Si顺应性衬底上生长的弛豫SiGe薄膜的研究
机译:离子注入法制备高Ge组成的应变缓和SiGe缓冲层
机译:在不透明基板上具有Ge级SiGe层的基板型氢化非晶SiGe薄膜太阳能电池
机译:硅衬底上二氧化硅超薄层的励磁诱导应力研究
机译:具有稳健的Zn-O薄膜晶体管双层异质结构设计和低温制造工艺使用真空和溶液沉积层
机译:应变松弛的SiGe,Ge膜的外延和Si衬底上Ge光电探测器的制造
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池