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IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
召开年:
2016
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Kinetic Monte Carlo simulation for switching probability of ReRAM
机译:
ReRAM切换概率的动力学蒙特卡洛模拟
作者:
Masataka Shirasawa
;
Mlandeli Ernest Dlamini
;
Yoshinari Kamakura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Switches;
Simulation;
Ions;
Monte Carlo methods;
Films;
Kinetic theory;
Switching circuits;
2.
Analysis of ultra-high-speed image sensor based on drift-diffusion model
机译:
基于漂移扩散模型的超高速图像传感器分析
作者:
Le Thi Yen
;
N. Minamitani
;
Y. Kamakura
;
T. G. Etoh
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Image sensors;
Analytical models;
Absorption;
Image storage;
Limiting;
Logic gates;
3.
Quest for visual system of the brain to create artificial vision
机译:
寻求大脑的视觉系统以创建人造视觉
作者:
Tetsuya Yagi
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Retina;
Neuromorphics;
Visualization;
Silicon;
Robots;
Neurons;
4.
Detection and characterization of single MOS interface traps by the charge pumping method
机译:
电荷泵浦法检测和表征单个MOS接口陷阱
作者:
Toshiaki Tsuchiya
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Electron traps;
Energy states;
Current measurement;
Charge pumps;
MOSFET;
Logic gates;
Systematics;
5.
Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III–V on Si for CMOS photonics
机译:
用于CMOS光子学的SiGe / Ge和III-V在Si上的异质集成
作者:
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Photonics;
CMOS integrated circuits;
Silicon;
Silicon germanium;
Modulation;
Arrayed waveguide gratings;
6.
High power efficient and scalable noise-shaping SAR ADC for IoT sensors
机译:
用于物联网传感器的高功率效率和可扩展的噪声整形SAR ADC
作者:
Yusuke Tsukamoto
;
Koji Obata
;
Kazuo Matsukawa
;
Koji Sushihara
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Bandwidth;
Modulation;
Noise shaping;
Sensors;
Power demand;
Floors;
Internet of things;
7.
Analysis of the SOG film crack mechanism for TEOS/SOG/TEOS structure
机译:
TEOS / SOG / TEOS结构的SOG膜裂纹机理分析
作者:
Takuya Naoe
;
Takaaki Fujimoto
;
Masanori Miyata
;
Takuya Takahashi
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Films;
Metals;
Refractive index;
Stress;
Layout;
Reliability;
Planarization;
8.
Capacitance analysis of pseudo-MOSFET using Cole-Cole plots
机译:
使用Cole-Cole图分析伪MOSFET的电容
作者:
Isao Yarita
;
Shingo Sato
;
Yasuhisa Omura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Capacitance;
Frequency measurement;
Probes;
Integrated circuit modeling;
Equivalent circuits;
Impedance;
Logic gates;
9.
Characteristic reliability of a hybrid-type temperature sensor using poly-Si thin-film transistors
机译:
使用多晶硅薄膜晶体管的混合型温度传感器的特性可靠性
作者:
Toshimasa Hori
;
Jun Taya
;
Hisashi Hayashi
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
Thin film transistors;
Temperature;
Temperature measurement;
Oscillators;
Temperature dependence;
Leakage currents;
10.
Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts
机译:
Ar束辐照对Si基肖特基接触的影响
作者:
S. Hisamoto
;
J. Liang
;
N. Shigekawa
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Radiation effects;
Schottky barriers;
Substrates;
Surface treatment;
Silicon;
Schottky diodes;
Temperature measurement;
11.
Stimulus performance of poly-Si thin-film transistor in in-vitro experiment for artificial retinas
机译:
多晶硅薄膜晶体管在人工视网膜体外实验中的刺激性能
作者:
Keisuke Tomioka
;
Shota Haruki
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Thin film transistors;
Retina;
CMOS integrated circuits;
Inverters;
Ring oscillators;
Implants;
12.
Gate voltage dependence of channel length modulation for 14 nm FinFETs
机译:
14 nm FinFET的沟道长度调制的栅极电压依赖性
作者:
Yuki Nariai
;
Akira Hiroki
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Logic gates;
Modulation;
FinFETs;
Mathematical model;
Analytical models;
Integrated circuit modeling;
13.
Study on underwater wireless power transfer via electric coupling
机译:
电耦合水下无线电力传输研究
作者:
Mitsuhiro Urano
;
Akira Takahashi
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Couplings;
Resonant frequency;
Capacitors;
Atmospheric modeling;
Capacitance;
Integrated circuit modeling;
Frequency dependence;
14.
Evaluation of initial electron distributions in ensemble Monte Carlo simulations
机译:
整体蒙特卡洛模拟中的初始电子分布评估
作者:
Shin Hiratoko
;
Akira Hiroki
;
Nobuya Fujimoto
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Monte Carlo methods;
Mathematical model;
Frequency modulation;
Distribution functions;
Silicon;
MOSFET;
Effective mass;
15.
Wireless power supply to artificial retina using poly-Si thin-film transistor
机译:
使用多晶硅薄膜晶体管为人造视网膜提供无线电源
作者:
Yuki Yamamoto
;
Toshio Ishizaki
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Retina;
Thin film transistors;
Power supplies;
Implants;
Wireless communication;
Inductors;
Substrates;
16.
A 0.5–3.5GHz wideband CMOS LNA for LTE application
机译:
适用于LTE应用的0.5–3.5GHz宽带CMOS LNA
作者:
Wei-Rern Liao
;
Jeng-Rern Yang
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Noise figure;
Impedance matching;
CMOS integrated circuits;
Wideband;
Gain;
CMOS process;
17.
A 1.8/2.6 GHz CMOS high linearity power amplifier for LTE application
机译:
用于LTE应用的1.8 / 2.6 GHz CMOS高线性功率放大器
作者:
Chih-Huang Lin
;
Jeng-Rern Yang
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Power amplifiers;
Gain;
Long Term Evolution;
Power generation;
CMOS integrated circuits;
Linearity;
Inverters;
18.
Potential of perovskite solar cells for power sources of IoT applications
机译:
钙钛矿太阳能电池在物联网应用中的潜力
作者:
Itaru Raifuku
;
Yasuaki Ishikawa
;
Yukiharu Uraoka
;
Seigo Ito
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Lighting;
Resistance;
Internet of things;
Impedance;
Substrates;
Spectroscopy;
19.
Influence of top electrodes to vibration modes in impulse responses of MEMS piezoelectric diaphragms for ultrasonic microsensors
机译:
超声微传感器MEMS压电膜片冲激响应中上电极对振动模式的影响
作者:
Tomoki Nishioka
;
Taiki Nishiumi
;
Kaoru Yamashita
;
Minoru Noda
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Electrodes;
Vibrations;
Acoustics;
Gold;
Sensors;
Ultrasonic variables measurement;
Frequency measurement;
20.
Simulation and fabrication of test structure for micro-wall solar cell with electric-field effect
机译:
电场效应的微壁太阳能电池测试结构的仿真与制作
作者:
Takashi Kusakabe
;
Naoto Matsuo
;
Akira Heya
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Power generation;
Logic gates;
Electric fields;
Substrates;
Fabrication;
Impurities;
21.
Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells
机译:
层状CdTe纳米粒子对硅太阳能电池的影响
作者:
T. Ogawa
;
J. Liang
;
S. Imasaki
;
T. Watanabe
;
D.G. Kim
;
N. Shigekawa
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Nanoparticles;
Surface treatment;
II-VI semiconductor materials;
Cadmium compounds;
Silicon;
Reflectivity;
Photovoltaic cells;
22.
Impact of air exposure on physical properties of sputter-deposited undoped ZnO films
机译:
空气暴露对溅射沉积未掺杂ZnO薄膜物理性能的影响
作者:
N. Takahashi
;
J. Zhang
;
Y. Omura
;
T. Saitoh
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Annealing;
Optical films;
Optical saturation;
Current measurement;
23.
Characteristic evaluation of Ga-Sn-O thin films fabricated using RF magnetron sputtering
机译:
射频磁控溅射制备Ga-Sn-O薄膜的性能评估
作者:
Yuta Kato
;
Kenta Umeda
;
Daiki Nishimoto
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Sputtering;
Resistance;
Radio frequency;
Amorphous magnetic materials;
Magnetic films;
Optical device fabrication;
Optical films;
24.
Effects of nonparabolic band structure on intrinsic carrier concentration in In0.53Ga0.47As
机译:
非抛物线能带结构对In0.53Ga0.47As中本征载流子浓度的影响
作者:
Nobuya Fujimoto
;
Akira Hiroki
;
Shin Hiratoko
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Temperature dependence;
Mathematical model;
Effective mass;
Photonic band gap;
MOSFET;
25.
Characteristic evaluation of Ga-Sn-O thin film by Hall measurement
机译:
通过霍尔测量法评估Ga-Sn-O薄膜的特性
作者:
Kota Imanishi
;
Asuka Fukawa
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Magnetic field measurement;
Temperature measurement;
Magnetic fields;
Annealing;
Magnetic films;
Electrical resistance measurement;
26.
Analysis of inversion layer electron density of InGaAs MOSFETs
机译:
InGaAs MOSFET的反型层电子密度分析
作者:
Taiki Fujimoto
;
Akira Hiroki
;
Takuma Katano
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Indium gallium arsenide;
Silicon;
Logic gates;
Insulators;
Substrates;
Electric potential;
27.
Evaluation of Ga-Sn-O films fabricated using mist chemical vapor deposition
机译:
利用雾化学气相沉积法制备的Ga-Sn-O膜的评估
作者:
Hiroki Fukushima
;
Masahiro Yuge
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Films;
Chemical vapor deposition;
Resistance;
Temperature;
Thin film transistors;
Temperature measurement;
Semiconductor device measurement;
28.
Magnetoresistance effect of Ga-Sn-O thin-film device
机译:
Ga-Sn-O薄膜器件的磁阻效应
作者:
Asuka Fukawa
;
Kota Imanishi
;
Shogo Miyamura
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Magnetic fields;
Current;
Films;
Magnetoresistance;
Resistance;
Electrodes;
29.
Electrochromic properties of single-crystalline tungsten trioxide films grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的单晶三氧化钨薄膜的电致变色性能
作者:
Takayuki Murayama
;
Wataru Kuwagata
;
Kazuto Koike
;
Yoshiyuki Harada
;
Shigehiko Sasa
;
Mitsuaki Yano
;
Shintaro Kobayashi
;
Katsuhiko Inaba
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Molecular beam epitaxial growth;
Electrochromic devices;
Logic gates;
Substrates;
Absorption;
30.
Sensitivity of resistive transition of sputter-deposited TiO2 films to electrode material
机译:
溅射沉积的TiO2薄膜对电极材料的电阻跃迁敏感性
作者:
N. Kawashima
;
S. Sato
;
Y. Omura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Films;
Electrodes;
Resistance;
Leakage currents;
Silicon;
Sensitivity;
Physics;
31.
Electrical characteristics of SAB-based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions
机译:
SAB基n + -n Ge / 4H-SiC异质结的电学特性
作者:
S. Morita
;
T. Nishimura
;
J. Liang
;
N. Shigekawa
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Heterojunctions;
Temperature;
Capacitance-voltage characteristics;
Voltage measurement;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
32.
Artificial neural networks using poly-Si thin-film transistors
机译:
使用多晶硅薄膜晶体管的人工神经网络
作者:
Sumio Sugisaki
;
Ryohei Morita
;
Yuki Yamaguchi
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Thin film transistors;
Neurons;
Biological neural networks;
Degradation;
Voltage control;
Hebbian theory;
33.
Study on simplification of processing elements in neural networks using circuit simulation
机译:
利用电路仿真简化神经网络中处理元素的研究
作者:
Tomoharu Yokoyama
;
Nao Nakamura
;
Hiroki Nakanishi
;
Yuki Watada
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Neurons;
Biological neural networks;
Circuit simulation;
Cellular neural networks;
Thin film transistors;
Artificial neural networks;
Switching circuits;
34.
Simplification of synapse devices in cellular neural network
机译:
细胞神经网络中突触设备的简化
作者:
Koki Watada
;
Hiroki Nakanishi
;
Nao Nakamura
;
Tomoharu Yokoyama
;
Tokiyoshi Matsuda
;
Mutsumi Kimura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Cellular neural networks;
Neurons;
Thin film transistors;
Capacitors;
Resistors;
Logic circuits;
Artificial neural networks;
35.
Tamper resistance of IoT devices against electromagnnetic analysis
机译:
物联网设备对电磁分析的防篡改
作者:
Yusuke Nozaki
;
Yoshiya Ikezaki
;
Masaya Yoshikawa
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Internet of things;
Ciphers;
Electromagnetic analysis;
Electromagnetic scattering;
Hardware;
Field programmable gate arrays;
36.
IoT device oriented security module using PUF
机译:
使用PUF的面向物联网设备的安全模块
作者:
Yoshiya Ikezaki
;
Yusuke Nozaki
;
Masaya Yoshikawa
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Generators;
Field programmable gate arrays;
Cryptography;
Floors;
Internet of things;
Large scale integration;
37.
Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method
机译:
表面活化结合法的Al箔/ Si结的电学特性
作者:
K. Furuna
;
J. Liang
;
N. Shigekawa
;
M. Matsubara
;
M. Dhamrin
;
Y. Nishio
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Junctions;
Annealing;
Bonding;
Temperature measurement;
Silicon;
Substrates;
Semiconductor device measurement;
38.
High quality free-standing GaN substrates and their application to high breakdown voltage GaN p-n diodes
机译:
高质量独立式GaN衬底及其在高击穿电压GaN p-n二极管中的应用
作者:
Hiroshi Ohta
;
Tohru Nakamura
;
Tomoyoshi Mishima
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Substrates;
P-n junctions;
Schottky diodes;
Electrodes;
Electric fields;
39.
A new criterion for stability assessment of the microwave pHEMT-based low-noise amplifiers
机译:
基于微波pHEMT的低噪声放大器稳定性评估的新标准
作者:
Josef Dobeš
;
František Vejražka
;
Jakub Popp
;
Jan Míchal
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
PHEMTs;
Oscillators;
Stability criteria;
Transient analysis;
Circuit stability;
Optimization;
40.
Effect of metal electrode edge irregularities on breakdown voltages of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
金属电极边缘不规则度对AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
作者:
S. Makino
;
S. Ohi
;
J. T. Asubar
;
H. Tokuda
;
M. Kuzuhara
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2016年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Electrodes;
Acoustics;
41.
Breakdown degradation of AlGaN/GaN HEMTs with multi-finger gate patterns
机译:
具有多指栅图案的AlGaN / GaN HEMT的击穿退化
作者:
T. Yamazaki
;
Y. Suzuki
;
S. Ohi
;
J. T. Asubar
;
H. Tokuda
;
M. Kuzuhara
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2016年
关键词:
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Electrodes;
Electric breakdown;
42.
Estimation of junction temperature at failure of SiC DMOSFETs in UIS test
机译:
UIS测试中SiC DMOSFET失效时的结温估算
作者:
Y. Nanen
;
M. Aketa
;
H. Asahara
;
T. Nakamura
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2016年
关键词:
Silicon carbide;
Junctions;
Switches;
Temperature dependence;
Heating;
Logic gates;
Avalanche breakdown;
43.
High resolution silicon MEMS tactile sensors for measurement of fingertip sensation
机译:
高分辨率硅MEMS触觉传感器,用于测量指尖感觉
作者:
Hidekuni Takao
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2016年
关键词:
Tactile sensors;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Force;
Semiconductor device measurement;
Surface waves;
44.
Transverse thermoelectric effect and its applications using synthetically or naturally anisotropic materials
机译:
横向热电效应及其在合成或天然各向异性材料中的应用
作者:
Tsutomu Kanno
会议名称:
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2016年
关键词:
Sensors;
Thermoelectric devices;
Anisotropic magnetoresistance;
Electric fields;
Resistance heating;
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