Analysis of ultra-high-speed image sensor based on drift-diffusion model

机译：基于漂移扩散模型的超高速图像传感器分析

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Electron travel time distribution in the backside illuminated in-situ storage image sensor (BSI ISIS) is analyzed based on the drift diffusion model coupled with the light-absorption model. Dependence of the variation on the various device design parameters and physical conditions is discussed. It is shown that the ultimate highest frame rate is dependent on the light absorption coefficient.

机译：基于漂移扩散模型和光吸收模型，分析了背面照明原位存储图像传感器（BSI ISIS）中的电子传播时间分布。讨论了变化对各种器件设计参数和物理条件的依赖性。结果表明，最终的最高帧速率取决于光吸收系数。

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来源
《IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》|2016年|1-1|共1页
会议地点
作者
Le Thi Yen; N. Minamitani; Y. Kamakura; T. G. Etoh;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Image sensors; Analytical models; Absorption; Image storage; Limiting; Logic gates;

机译：图像传感器;分析模型;吸收;图像存储;限制;逻辑门;

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