一种线性可控全集成SiGe BiCMOS驱动放大器

摘要

基于Jazz工艺,提出一种线性可控全集成SiGe BiCMOS驱动放大器(DRA),实现多种可调功率增益放大作用.电路采用全差分共射共基结构,通过调节CMOS电流镜偏置电路和SiGe-HBT管尺寸以及3bit控制位,实现1dB步长的可控增益.仿真结果显示:在10μA的带隙基准电流源以及3.3V的电源电压下,DRA实现八种可调功率增益,其线性度指标即输出1dB压缩点OP1dB＞3dBm,电路供电电流＜10mA,且电路输入输出匹配良好(S11与S22均小于-19dB).