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周进; 田亮; 陈磊; 阮颖; 赖宗声;
华东师范大学微电子电路与系统研究所;
华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心;
低噪声放大器; 共射共基; SiGe; BiCMOS;
机译: src =“ / images / tex / 473.gif” alt =“ W”> formula> -SiGe BiCMOS中的带双极化相控阵收发器前端
机译:无线通信中的低噪声放大器:最新技术,两个新的SiGe-BiCMOS宽带全有源LNA
机译:多模SIGE BICMOS 5-6 GHz前端IC,可实现802.11ac WAVE 2和802.11AX无线LAN前端设计
机译:高效高性能毫米波前端集成电路设计和技术在SiGE BICMOS中
机译:使用共模差模(CMDM)传输线方法进行7T MR成像的平面正交RF收发器设计
机译:SiGe BiCMOS技术的X波段相控阵雷达系统低噪声放大器的设计
机译:siGe HBT BiCmOs用于2-160 Gb / s下一代互联网(NGI)
机译:具有低噪声放大器切换晶体管的单输入/输出端口无线电频率收发器前端电路
机译:一种通过评估测量光束的多普勒频移来检测车辆旋转车轮的方法,该检测束由检测单元发射,并由最后一个车辆通过车轮反射并以多普勒频移的形式出现。至少基于它们之间的无线电链路,测量车载单元距收发器的方向和距离,并控制辐射方向。
机译:带级间功率分配器的多模无线电频率收发器前端电路
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