机译:基于低K / Cu CMOS的SoC技术,具有115GHz f {sub} T,100GHz f {sub}(max),低噪声80nm RF CMOS,高Q MiM电容器和螺旋Cu电感器
机译:嵌入式三维35nF / mm2 MIM电容器的开发和BiCMOS电路特性
机译:基于0.13umCMOS逻辑处理技术的嵌入式DRAM宏的开发,用于高性能应用
机译:一种新颖的圆柱型MIM电容器,用于多孔低k膜(CAPL),用于具有先进CMOS逻辑的嵌入式DRAM
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:呼吸图技术制备α-MnO2纳米粒子多层多孔膜及其应用用于混合电容器电极
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术