机译:使用电子束光刻技术研究尺寸为0.1μm的Γ门的PHEMT的结构,制造和特性
机译:深紫色位移Talbot光刻晶圆级纳米级亚峰阵列
机译:具有高方向性和低反射率的L形纤维芯片光栅耦合器,用深紫色光刻制造
机译:使用深紫外相移光刻0.15um Y栅极PHEMT工艺
机译:采用低成本大体积0.15 um光学光刻pHEMT工艺的40 GHz功率放大器。
机译:闪光灯白光的全光子干燥和烧结过程结合深紫外线和近红外辐射用于高导电性铜纳米油墨
机译:采用低成本高容量0.15微米光刻pHEmT工艺的40 GHz功率放大器