Asymmetric double gate MOSFET; DIBL effects; analytical threshold voltage model; double gate MOSFET; independent double gate (4T); thresholdvoltageroll-off; tied double gate (3T); underlap;
机译:具有捆绑独立栅极和对称非对称选项的下叠式DGMOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:纳米级无结晶体管通过源/漏重叠和沟道厚度工程控制短沟道效应的分析模型
机译:基于解析模型的圆柱型全栅MOSFET短沟道效应控制的栅极下重叠设计
机译:门-S / D潜冲,非对称和独立栅极特征在纳米级DGMOSFET中的短信效应最小化中的影响
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:基于射频/模拟电路的非对称漏极扩展Dual-kk Trigate叠底FinFET
机译:基于射频/模拟电路的非对称漏极延伸双kk负载欠载FinFET