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1.3 Purpose and Outline of the Thesis
4.3.5 Summary of the Influence of the Voltage
5.1 Conclusion
AHIANDIPE KODJOVI SENAM BORIS;
华北电力大学华北电力大学(北京);
机译:在硬开关和软开关下外延平面和沟槽栅极IGBT以及非外延平面栅极IGBT的关断行为
机译:ST Micro smart•600V耐压功率MOSFET,带关断电路和IGBT的三相栅极驱动器
机译:ST显微镜•带有关断电路的600V耐压PUSFET和IGBT的3相位命中栅极驱动器
机译:一种新型栅极驱动器电路,用于改善大电流IGBT模块的关断特性
机译:具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动器IC
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:用于具有高级保护的IGBT器件的新型栅极驱动器集成电路
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路
机译:能够在IGBT关断时防止IGBT导通的逆变器的栅极驱动电路
机译:具有主动关断功能的IGBT栅极驱动器可减少开关损耗
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