ATLAS; NMOS; SILVACO-ATHENA; partially-depleted SOI; sub threshold voltage;
机译:在SOI衬底上制造的纳米级NAND氧化物-氮化物-氧化物-硅闪存器件的电学特性
机译:厚度控制剥落工艺制造柔性CMOS器件电气特性研究
机译:Si(111)和Si(100)表面缺陷对具有HfO_xN_y栅极电介质的MOS器件电学特性的影响比较
机译:使用Silvaco的部分耗尽SOI和N-MOS器件调查的电特性比较
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:大面积N-MOS的光电特性
机译:基于应力传感器对半导体器件电特性的影响研究。