breakdown; bevel mesa; JTE; PiN diode; field crowding;
机译:具有不同结终端结构的15kV级4H-SiC PiN二极管的击穿特性
机译:适用于15 kV 4H-SiC PiN二极管的各种结终止结构的实验研究
机译:台面与JTE端接相结合的高压4H-SiC PiN二极管的设计,制造和表征
机译:斜面台面与植入结终端结构的结合,用于10 kV SiC PiN二极管
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:高压4H-SiC PiN二极管结终端结构的仿真和实验研究