机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
silicon carbide; field limiting ring; breakdown voltage; Baliga’s figure-of-merit;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:钻石肖特基-pn二极管在导通电阻和阻断电压之间没有权衡关系
机译:设计用于6.5 kV / 1 kA的高压SiC PiN二极管模块的实验研究
机译:设计用于6.5 kV / 1 Ka的高压SiC PiN二极管模块的实验研究
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:用55-二甲基-1-吡咯啉N-氧化物(DMPO)旋转无机自由基自旋捕获的理论和实验研究。 3.二氧化硫亚硫酸盐和硫酸盐的阴离子
机译:低导通电阻超高压SiC PiN二极管的制备
机译:4H-siC JFET阈值电压体偏置效应的实验和理论研究从25℃到500℃。