high power SiC diode module; high voltage; PiN diode; reverse recovery charge; bipolar device; medium-voltage industrial inverter;
机译:设计用于6.5 kV / 1 kA的高压SiC PiN二极管模块的实验研究
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:在设计为6.5 kV / 1 kA的模块中并联SiC PiN二极管的热仿真
机译:基于6.5kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SiC-JBS二极管的大功率中压转换器的设计比较
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:高压4H-SiC PiN二极管结终端结构的仿真和实验研究
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计