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一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构

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摘要

本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si

1. 一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构 [P] . 中国专利： CN111180528A . 2020-05-19
2. 一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法 [P] . 中国专利： CN105720110A . 2016-06-29
3. Schottky diode structure with silicon mesa and junction barrier Schottky wells [P] . 美国专利： US8384181B2 . 2013-02-26

机译：具有硅台面和结势垒肖特基阱的肖特基二极管结构
4. Junction termination for SiC schottky diode [P] . 美国专利： US2002017647A1 . 2002-02-14

机译： SiC肖特基二极管的结终端
5. Junction termination for SiC Schottky diode [P] . 美国专利： US5914500A . 1999-06-22

机译： SiC肖特基二极管的结终端