4H-SiC; diodes; stacking faults; recombination-enhanced dislocation motion; cathodoluminescence;
机译:基面位错结构对4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中单个肖克利型堆叠故障扩展的影响
机译:估算4H-SiC PiN二极管中单个Shockley堆叠故障的扩展/收缩的临界条件
机译:4H-SiC PiN二极管中单个肖克利型堆叠故障扩展的注入载流子浓度依赖性
机译:4H-SiC二极管结构中电子束辐照引起的堆垛层错扩展
机译:Mg和Mg合金堆垛层错和长周期堆垛有序结构的第一性原理研究
机译:共聚焦光致发光研究以识别基础堆叠缺陷在半极性InGaN / GaN发光二极管的光学特性中的作用
机译:4H-siC piN二极管,用于在轴外和轴上产生堆垛层错和主动降级