减少堆垛层错成核位置的光刻方法和具有减少的堆垛层错位置的结构

摘要

通过在具有朝向结晶方向的离轴取向的碳化硅衬底的表面上形成若干特征可制作外延碳化硅层。所述的特征包括取向不平行于即倾斜或垂直于结晶方向的至少一个侧壁。接着，在其中包括所述特征的碳化硅衬底的表面上生长外延碳化硅层。