堆垛层错对SiC纳米线吸波性能的影响机制

摘要

明确材料内部缺陷与性能之间的联系有利于通过调节缺陷结构来调整材料的性能.在本研究中,采用透射电子显微镜、X射线衍射仪和X射线吸近边吸收来分析并比较了SiC纳米线在不同制备温度下的堆垛层错状态和电子结构.通过分析发现,随着制备温度从1400°C升高至1600°C,SiC纳米线中的堆垛层错含量显著降低,堆垛层错平面与纳米线的生长方向间的夹角从35°增加到90°,碳的未占据能态密度与材料内部堆垛层错的含量呈正比.研究表明,SiC纳米线的吸波性能与材料内部堆垛层错的含量密切相关.在1400°C下合成的SiC纳米线具有大量的堆垛层错和C的未占据能态密度,大量诱发的偶极子在电磁场作用下产生极化作用.这些极化作用使材料具有优异的吸波性能.