减少堆垛层错成核位置的顺序光刻方法和具有减少的堆垛层错成核位置的结构

摘要

通过在具有朝向结晶方向的离轴取向的碳化硅衬底的表面上形成第一特征可制作外延碳化硅层。第一特征包括取向不平行于即倾斜或垂直于结晶方向的至少一个侧壁。接着，在其中包括第一特征的碳化硅衬底的表面上生长第一外延碳化硅层。接下来，在第一外延层上形成第二特征。第二特征包括取向不平行于结晶方向的至少一个侧壁。然后，在其中包括第二特征的第一外延层的表面上生长第二外延碳化硅层。