机译:一种利用C-V,G-V和I-V模拟来研究III-V MOSFET高kappa电介质中的缺陷分布和原生氧化物的新技术
机译:具有自对准InAlP原生氧化物栅极电介质的0.25-μm栅极长度耗尽型GaAs沟道MOSFET的制备和性能
机译:通过金属电极远距离还原原生III-V氧化物获得具有陡峭亚阈值斜率的In 0.53 sub> Ga 0.47 sub> As高迁移率MOSFET
机译:III-V MOSFET具有天然氧化物栅极电介质 - 进度和承诺
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:亚微米,金属栅极,高ε电介质,无植入,增强型III-V mOsFET
机译:III-V化合物半导体天然氧化物mosfets专注于界面研究。