integrated circuit interconnections; integrated circuit metallisation; electromigration; plasma materials processing; CMOS integrated circuits; silicon compounds; copper; dual damascene technology; BEOL defectivity; GOI performance; ammonia plasma pretreatment process; nitride cap-layer; electromigration; plasma-induced damage; aggressive pretreatment; hillock defects; blister defects; RF plasma-induced heating; manufacturability; dual-gate CMOS technology; Cu; SiN;
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