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机译:Cu BEOL集成中的双镶嵌集成方案概述
Infineon Technologies Dresden, Koenigsbruecker Strasse 180, 01099 Dresden, Germany;
dual damascene; trench first; hardmask; via first;
机译:用于亚四分之一微米技术的双镶嵌结构集成过程中的铜污染概述
机译:在Mattson Highlands〜(TM)室中的Cu BEOL集成方案中的抗蚀带和Cu扩散阻挡层蚀刻
机译:基于水的单晶片Cu / Low-k清洗工艺表征并集成到双镶嵌工艺流程中
机译:90nm双镶嵌杂交(有机/无机)低k - 铜BEOL集成方案
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:非线性发展方程的自适应积分的实用分裂方法。第一部分:优化方案和方案对的构建
机译:水基单晶硅Cu / Low-k清洗工艺表征与双镶嵌工艺流程的集成