机译:通过ArF浸没光刻工艺在300 mm SOI晶片上制造的基于Si-纳米线的多级延迟Mach-Zehnder干涉仪光学MUX / DeMUX
机译:300毫米晶圆尺寸的纳米级纳米压印光刻工艺
机译:千兆ULSI器件工艺的300 mm Si晶圆性能评估
机译:通过LD喷嘴研究300 mm晶圆上的0.15 / 0.13μm光刻工艺来优化CD性能
机译:采用低成本大体积0.15 um光学光刻pHEMT工艺的40 GHz功率放大器。
机译:空气屏蔽电化学微加工中喷嘴倾角和工艺参数的优化
机译:通过光刻和蚀刻工艺进行跨晶圆CD均匀性控制:实验验证