Cr dry etching; MERIE; magnetic field; SAL-601; ZEP-7000;
机译:湿法刻蚀圆锥形硅发射极的改进和特性
机译:CCP-RIE系统对4掩模工艺铟镓锌氧化物和钼的干法刻蚀特性的研究
机译:感应耦合等离子体系统在BCl _3 / Ar等离子体中HfAlO_3薄膜的干法刻蚀特性
机译:利用Merie系统改进Cr干蚀刻特性
机译:在微机电系统的高密度等离子体源中干法蚀刻高纵横比的硅微结构。
机译:铜干蚀性能的显着改善氮气添加高压氢基等离子体
机译:通过干法蚀刻具有PtOx顶部电极的亚微米特征尺寸PZT电容器的存储特性
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析