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Mac.MBA; 王玉民;
不详;
光学波导; 方向耦合器; 反应离子蚀刻;
机译:反应离子刻蚀角反射器应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs量子阱激光器的光学特性
机译:GaAs / AlGaAs多量子阱中光学非线性特性的单脉冲泵浦测量
机译:具有8波段和10波段k中心点p模型的InGaAsN / GaAs / GaAsP多量子阱激光器的光学特性研究
机译:CH_4 / H_2反应离子蚀刻对AlgaAs / GaAs和假晶algaas / Ingaas / Gaas异质结构的电气和光学性质的影响
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:扩散alGaas / Gaas多量子阱的光学特性及其在高功率激光器中的应用
机译:ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第一部分:Gaas,Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理
机译:III-V化合物(包括InP,GaAs-InP和GaAlAs)的反应性离子蚀刻
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
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