机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:s.i.上的GaN / AlGaN HEMT混合和MMIC微带功率放大器SiC基板
机译:用于现代无线电通信的SiC和硅基板上的高功率微波GaN / AlGaN HEMT和MMIC
机译:半绝缘SIC基板上GAN / ALGAN HEMT混合和MMIC放大器的技术开发
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:Si或SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT的噪声评估:在X波段低噪声放大器中的应用