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High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on

召开年：2000
召开地：Ithaca, NY
出版时间：-

会议文集：-

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1.Fabrication and characterization of RTD-HBT inverter

机译：RTD-HBT逆变器的制作与表征
- 作者：Lin C.-H.;Yang K.;Gonzalez A.F.;East J.R.;Mazumder P.;Haddad G.I.;Chow D.H.;Warren L.D.;Dunlap H.L.;Roth J.A.;Thomas S. III.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
2.A 16 W, 40 efficient, continuous wave, 4H SiC, L-band SIT

机译：16 W，效率40％的连续波4H SiC L波段SIT
- 作者：Clarke R.C.;Morse A.W.;Esker P.;Curtice W.R.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
3.Broadband HBT amplifiers

机译：宽带HBT放大器
- 作者：Krishnan S.;Mensa D.;Jaganathan S.;Mathew T.;Wei Y.;Rodwell M.J.W.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
4.New concepts and preliminary results for SiC bipolar transistors: ZnSiN/sub 2/ and ZnGeN/sub 2/ heterojunction emitters

机译：SiC双极晶体管的新概念和初步结果：ZnSiN / sub 2 /和ZnGeN / sub 2 /异质结发射极
- 作者：Osinsky;A.;Fuflyigin;V.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
5.A modified drift-diffusion model for sub-micron devices

机译：改进的亚微米器件漂移扩散模型
- 作者：Shangli Wu;Anwar A.F.M.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
6.A study of on-state and off-state breakdown voltages in GaN MESFETs

机译：GaN MESFET中的通态和关态击穿电压的研究
- 作者：Kuliev A.;Lee C.;Lu W.;Piner E.;Bahl S.R.;Adesida I.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
7.A theoretical determination of impact ionization induced gate current in InP HEMTs

机译：InP HEMT中碰撞电离感应栅极电流的理论确定
- 作者：Shangli Wu;Anwar;A.F.M.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
8.On the reduction of base resistance in GaN-based heterojunction bipolar transistors

机译：降低GaN基异质结双极晶体管的基极电阻
- 作者：Graff;J.W.;Schubert;E.F.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
9.Power limits of polarization-induced AlGaN/GaN HEMT's

机译：极化诱导的AlGaN / GaN HEMT的功率极限
- 作者：Eastman L.F.;Green B.;Smart J.;Tilak V.;Chumbes E.;Hyungtak Kim;Prunty T.;Weimann N.;Dimitrov R.;Ambacher O.;Schaff W.J.;Shealy J.R.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
10.SiC MESFET hybrid amplifier with 30-W output power at 10 GHz

机译：SiC MESFET混合放大器，在10 GHz时具有30W的输出功率
- 作者：Sadler R.A.;Allen S.T.;Pribble W.L.;Alcorn T.S.;Sumakeris J.J.;Palmour J.W.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
11.Technology development for GaN/AlGaN HEMT hybrid and MMIC amplifiers on semi-insulating SiC substrates

机译：半绝缘SiC衬底上的GaN / AlGaN HEMT混合和MMIC放大器的技术开发
- 作者：Sheppard;S.T.;Pribble;W.L.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
12.Validation of an analytical large signal model for AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates

机译：SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT的分析大信号模型的验证
- 作者：Green;B.M.;Hyungtak Kim
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
13.Characterization of dislocations and surface potential in III-V nitride heterostructures

机译：III-V族氮化物异质结构中位错和表面电势的表征
- 作者：Koley;G.;Smart;J.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
14.Growth and characterization of large diameter semi-insulating 6H silicon carbide substrates

机译：大直径半绝缘6H碳化硅衬底的生长与表征
- 作者：Yoganathan;M.;Gupta;A.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
15.Growth of InN for heterojunction field effect transistor applications by plasma enhanced MBE

机译：通过等离子体增强MBE生长用于异质结场效应晶体管的InN的生长
- 作者：Schaff;W.J.;Hai Lu
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
16.A ballistic quantum device for potential use in analog-to-digital conversion

机译：一种可能在模数转换中使用的弹道量子装置
- 作者：Debray;P.;Zverev;V.N.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
17.Passivation of AlGaN/GaN heterostructures with silicon nitride for insulated gate transistors

机译：氮化硅钝化AlGaN / GaN异质结构以用于绝缘栅晶体管
- 作者：Prunty;T.R.;Smart;J.A.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
18.Wet etching and its application to the fabrication and characterization of AlGaN/GaN HFETs

机译：湿法刻蚀及其在AlGaN / GaN HFET的制造和表征中的应用
- 作者：Maher;H.;DiSanto;D.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
19.Characterization of ScN heterojunctions

机译：ScN异质结的表征
- 作者：Perjeru F.;Bai X.;Ortiz-Libreros M.I.;Kordesch M.E.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
20.Determination of small-signal parameters of GaN-based HEMTs

机译：GaN基HEMT小信号参数的确定
- 作者：Chigaeva E.;Walthes W.;Wiegner D.;Grozing M.;Schaich F.;Wieser N.;Berroth M.;Breitschadel O.;Kley L.;Kuhn B.;Scholz F.;Schweizer H.;Ambacher O.;Hilsenbeck J.
- 会议名称：《》 | 2000年
21.High performance InP/GaAsSb/InP DHBTs with heavily doped base layers

机译：具有重掺杂基础层的高性能InP / GaAsSb / InP DHBT
- 作者：Bolognesi;C.R.;Dvorak;M.W.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
22.Low frequency noise in GaN-based transistors

机译：GaN基晶体管中的低频噪声
- 作者：Rumyantsev S.L.;Pala N.;Shur M.S.;Levinshtein M.E.;Gaska R.;Hu X.;Yang J.;Simin G.;Khan M.A.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
23.Nitrogen incorporation in GaInP for novel heterojunction bipolar transistors

机译：新型异质结双极晶体管在GaInP中掺入氮
- 作者：Welty;R.J.;Hong;Y.G.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
24.Application of heterodimensional transistors for weighted sum threshold logic operation

机译：异质晶体管在加权和阈值逻辑运算中的应用
- 作者：Nazimudeen;A.S.;Deng;J.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
25.Current-injection characterization of breakdown in AlGaN/GaN MODFETs

机译：AlGaN / GaN MODFET中击穿的电流注入特性
- 作者：Alekseev;E.;Nguyen-Tan;P.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
26.AlGaN/GaN solar-blind ultraviolet photodiodes on SiC substrate

机译：SiC衬底上的AlGaN / GaN日盲紫外光电二极管
- 作者：Parish G.;Hansen M.;Moran B.;Keller S.;DenBaars S.P.;Mishra U.K.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
27.Doping profiles of Schottky diodes for nonlinear transmission lines

机译：非线性传输线的肖特基二极管的掺杂曲线
- 作者：Wuchenauer T.;Birk M.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
28.High-speed switching performance and buck converter operation of 4H-SiC diodes

机译：4H-SiC二极管的高速开关性能和降压转换器工作
- 作者：Trivedi;M.;Shenai;K.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
29.Microwave performance of power MOSFETs on SOI substrates

机译：SOI衬底上功率MOSFET的微波性能
- 作者：McShane E.;Shenai K.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
30.A comparison of gallium gadolinium oxide and gadolinium oxide for use as dielectrics in GaN MOSFETs

机译：镓氧化镓和用作GaN MOSFET电介质的氧化g的比较
- 作者：Gila;B.P.;Lee;K.N.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
31.Performance and limitations of AlGaN/GaN HFETs grown on sapphire and SiC substrates

机译：在蓝宝石和SiC衬底上生长的AlGaN / GaN HFET的性能和局限性
- 作者：Vescan;A.;Dietrich;R.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
32.Silicon carbide IMPATT oscillators for high-power microwave and millimeter-wave generation

机译：碳化硅IMPATT振荡器，用于产生大功率微波和毫米波
- 作者：Luo Yuan;Melloch;M.R.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
33.High indium content InGaAs/GaAs quantum well infrared photodetectors

机译：高铟含量InGaAs / GaAs量子阱红外光电探测器
- 作者：Hernando;J.;Sanchez-Rojas;J.L.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
34.Thermal studies on heterostructure bipolar transistors using electroluminescence

机译：使用电致发光的异质结构双极晶体管的热研究
- 作者：Schuermeyer;F.;Fitch;R.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
35.Fabrication and characterization of 4H-SiC MOS capacitors with atomic layer deposited (ALD) SiO/sub 2/

机译：原子层沉积SiO / sub 2 /的4H-SiC MOS电容器的制备与表征
- 作者：Perez;I.;Elam;J.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年
36.High temperature characterization of implanted-emitter 4H-SiC BJT

机译：注入发射极4H-SiC BJT的高温表征
- 作者：Yi Tang;Fedison J.B.;Chow T.P.
- 会议名称：《High Performance Devices, 2000. Proceedings. 2000 IEEE/Cornell Conference on》 | 2000年