机译:具有高击穿电压和高最大振荡频率的GaAs上InAlAs / InGaAs HEMT的优化设计和制造
机译:不同结构的InAlAs / InGaAs / InP HEMT的击穿电压研究
机译:具有高电流密度和高击穿电压的InAlAs / InGaAs变质HEMT
机译:高击穿电压和高f / sub max / Inalas / GaAs上的Ingaas Hemts
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:从0.1栅极InGaAs / InAlAs / GaAs变质HEMT产生的fmax = 433GHz