机译:表面台阶和非化学计量对InAlAs / InP异质结构上分子束外延生长的应变InGaAs层的临界厚度的影响
机译:使用碳作为p型掺杂剂生长的分子束外延生长0.6 eV n / p / n lnPAs / InGaAs / InAlAs双异质结构热光电器件
机译:通过分子束外延生长的GaAs / AlGaAs和InGaAs / InAlAs异质结构中的超扁平(411)A界面和均匀波纹(775)B界面
机译:设备质量Ingaas / Inalas / InP异质结构通过气源分子束外延生长
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:在(Ga)n纳米结构和由分子束外延和金属辅助光化学蚀刻生长的纳米结构和装置
机译:由分子束外延生长的InGaAs / GaAs异质结构中非均匀位错产生的错位及其临界厚度
机译:al / sub Y / Ga / sub Y / IN / sub 1-XY / as / INp和INGaas-INalas超晶格的mBE(分子束外延)生长和性质研究:1986年5月15日 - 8月1日的进展报告,1988