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郝智彪; 卢京辉; 任在元; 罗毅;
集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系;
分子束外延; InP; InGaAsP; 全固源;
机译:固体源分子束外延生长InGaAsP / InP多量子阱的研究
机译:波长为1.3- / splμm/ m的InGaAsP-InP折叠腔面发射激光器,由气体源分子束外延生长
机译:固源分子束外延在InP(001)同质外延生长过程中掺入磷
机译:固体源分子束外延生长的InP和InGaAsP材料
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:气源分子束外延生长InGaasp中铍补偿掺杂的行为
机译:利用分子束外延生长InGaasp的集成光电子电路(mBE Gaas的掺铒)
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:通过低温分子束外延生长InP器件中高击穿电压Allnas层的方法
机译:分子束外延生长和分子束源的方法
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