机译:用于MESFET应用的n-InP的势垒高度接近理想的增强肖特基接触
机译:被吸收的水蒸气氧化的Au / n-InP肖特基势垒二极管的势垒高度增强和稳定性
机译:分子束外延生长的InP基n-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As肖特基势垒二极管的势垒高度增强
机译:使用INP / SUB X / O / SUB /膜具有增强的屏障高度的INP肖特基二极管和MESFET
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:基于纳米金InP和金纳米粒子的肖特基势垒
机译:在INP上形成金属/ INP接口和肖特基二极管
机译:用于太赫兹应用的InGaas / Inp异质外延肖特基势垒二极管