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谢廷贵;
单晶; 光伏法; 表面势垒; 半导体; 磷化铟;
机译:从严格的光致发光效率分析得出的Inp(1 0 0)真空退火表面的表面态密度分布
机译:使用表面光伏法研究MIS二极管肖特基中的表面态密度和电位
机译:通过原位表面处理提高Au / PN / sub x // InP肖特基二极管的势垒高度
机译:确定在蓝宝石衬底上生长的GaN膜中的表面势垒高度和表面态密度
机译:缺陷的硫化钼(0001)单晶表面上的表面缺陷与表面反应路径之间的关系
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:Etude des surfaces d'Inp et des Interfaces Inp Isolant par photoluminescence(Inp表面和Inp绝缘体界面的光致发光研究)
机译:光伏太阳能电池板包括光伏电池,该光伏电池包括与支撑件的接收面相比倾斜的可操作表面元件,从而可操作表面元件的表面总和高于接收表面
机译:将光伏电池连接器固定在光伏电池的表面上的方法,光伏电池连接器形成模具,将光伏电池连接器固定在光伏电池的表面上的装置
机译:在光伏电池的表面上固定光伏电池连接器的方法,光伏电池连接器形成模具,将光伏电池连接器固定在光伏电池表面上的装置
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