EUV photo mask; ARC etch; etch bias;
机译:用于制造EUV掩模的干法蚀刻工艺
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:硬掩模对双图案光刻中光刻-平版蚀刻工艺反射率的影响
机译:EUV掩模ARC蚀刻期间的蚀刻偏压反转
机译:高度芳族单分子蚀刻掩模的抗蚀刻性机理和发展:迈向分子光刻。
机译:高度对准的聚合物纳米线蚀刻掩模光刻可实现石墨烯纳米孔晶体管的整合
机译:使用钌膜作为蚀刻面罩的高度选择性和垂直蚀刻二氧化硅