Georgia Institute of Technology.;
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:硬掩模对双图案光刻中光刻-平版蚀刻工艺反射率的影响
机译:熔融石英刻蚀速率与刻蚀掩模开口直径的关系
机译:使用Mask Etcher IV进行石英蚀刻工艺以提高蚀刻深度的线性度和均匀性
机译:用于各向异性蚀刻光刻的计算机辅助掩模版图合成。
机译:高度对准的聚合物纳米线蚀刻掩模光刻可实现石墨烯纳米孔晶体管的整合
机译:使用钌膜作为蚀刻面罩的高度选择性和垂直蚀刻二氧化硅
机译:利用聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)蚀刻掩模对二硫化钼(mos2)进行反应离子蚀刻的工艺开发。