机译:Al / Ti基欧姆接触与GaN器件的温度依赖性:HEMT和MOSFET
机译:用于高阈值电压的基于GaN的HEMT功率器件的组合的部分凹陷和多层氟化介电层栅极结构的形成
机译:在低维异质结构器件中建模肖特基接触的电特性
机译:基于背栅接触法的HEMT结构的器件特性
机译:基于磷化铟的量子约束结构的材料性能和激光器件特性的比较。
机译:基于碳纳米管网络的低噪声纳米通道器件的宽接触结构
机译:用于调查螺纹脱位作为动力装置的AlGaN / GaN-HEMT异质结构的垂直泄漏来源的方法
机译:用于III-V和纳米电子和介观器件的单晶外延锗基欧姆接触结构