首页> 外文OA文献 >Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices

【2h】

Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices

机译：用于调查螺纹脱位作为动力装置的AlGaN / GaN-HEMT异质结构的垂直泄漏来源的方法

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
S. Besendörfer; E. Meissner; A. Lesnik; J. Friedrich; A. Dadgar; T. Erlbacher;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices [J] . Besendoerfer S., Meissner E., Lesnik A., Journal of Applied Physics . 2019,第9期

机译：用于研究功率器件的AlGaN / GaN-HEMT异质结构中作为垂直泄漏源的螺纹位错的方法
2. Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices [J] . Besendoerfer S., Meissner E., Lesnik A., Journal of Applied Physics . 2019,第9期

机译：用于调查螺纹脱位作为动力装置的AlGaN / GaN-HEMT异质结构的垂直泄漏来源的方法
3. Effect of threading dislocation in an AlN nucleation layer and vertical leakage current in an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on a silicon substrate [J] . Yamaoka Yuya, Ubukata Akinori, Yano Yoshiki, Semiconductor science and technology . 2019,第3期

机译：硅衬底上的AlN成核层中的螺纹位错和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中的垂直泄漏电流的影响
4. GaN-HEMTs devices with single- and double-heterostructure for power switching applications [C] . Meneghesso G., Zanandrea A., Stocco A., International Reliability Physics Symposium . 2013

机译：具有单异质结构和双异质结构的GaN-HEMT器件，用于电源开关应用
5. Dislocation Reduction in Silicon Doped High Aluminum Content AlGaN Layers for Deep UV Optoelectronic Devices [D] . Chen, Hung-Chi 2013

机译：用于深紫外光电器件的硅掺杂高铝含量AlGaN层中的位错减少
6. Investigation of Stability and Power Consumption of an AlGaN/GaN Heterostructure Hydrogen Gas Sensor Using Different Bias Conditions [O] . June-Heang Choi, Hyungtak Kim, Hyuk-Kee Sung, 2019

机译：使用不同偏置条件对AlGaN / GaN异质结构氢气传感器的稳定性和功耗的研究
7. Impact of varying buffer thickness generated strain and threading dislocations on the formation of plasma assisted MBE grown ultra-thin AlGaN/GaN heterostructure on silicon [O] . Subhra Chowdhury, Dhrubes Biswas 2015

机译：不同缓冲层厚度产生的应变和穿透位错对硅上等离子体辅助mBE生长的超薄alGaN / GaN异质结构形成的影响

Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅