GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究

摘要

目前，GaN基HEMT器件以其优越的性能而受到广泛的关注。在器件结构的设计中，器件的尺寸、材料的物理参数都严重影响GaN基HEMT器件的优越性能。基于器件仿真软件ISE—TCAD，本文研究了器件各部分的尺寸、各种材料的物理参数对器件沟道中二维电子气（2DEG）密度、器件直流特性等参数的影响。结果表明器件沟道中的二维电子气的密度随着AIGaN厚度的增加、AIxGal—xN中铝摩尔含量的增加、