scatterometry; spectroscopic ellipsometry; critical dimension (CD); metrology; shallow trench isolation;
机译:利用基于SACVD的40nm节点及以下晶体管的浅沟槽隔离来增强CMOSFET的性能
机译:45 nm CMOS节点的浅沟槽隔离以及STI应力对CMOS器件性能的几何依赖性
机译:在基于氯的等离子体中进行浅沟槽隔离蚀刻期间的特征轮廓演变。三,加氧的作用
机译:使用基于光谱椭偏仪的轮廓计量学在130nm节点处进行浅沟槽隔离(STI)的生产控制
机译:用于基于Mueller矩阵光谱椭偏仪的散射法进行定向自组装构图的光学计量学。
机译:基于可变光谱椭圆偏振法的P3HT:PCBM共混膜相图
机译:使用穆勒基矩阵光谱椭圆形测定法测定28纳米间距硅翅片的敏感性分析和线边缘粗糙度测定光学关键尺寸计量