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基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制

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在静态存储器单元中，在利用绝缘材料填充隔离沟槽(203T)之前，透过该隔离沟槽(203T)的侧壁(203S)在主动区(202C)的端部纳入注入种类可显着降低形成连接该主动区(202C)与该隔离区(203)上方的栅极电极结构(210A)的接触组件时的失效率。该注入种类可为P型掺杂种类和/或惰性种类，以显着改变该主动区(202C)的该端部的材料特性。

著录项

公开/公告号CN102687265B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-16

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201080043865.6
发明设计人 T·卡姆勒;M·维尔特;R·博施克;P·亚沃尔卡;
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申请日2010-07-28
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:32:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-16

授权

授权
2012-11-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20100728

实质审查的生效
2012-09-19

公开

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