trapping detrapping effects; Low frequency noise; SIMS; activation energy; GaN;
机译:在硅,SiC和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的低频漏极噪声比较
机译:低频噪声和脉冲电学测量证明了栅极泄漏电流对AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:随机电报噪声和低频噪声特性,AlGaN / GaN HEMT的漏极电流瞬态稳定性的漏极电流瞬态稳定性分析
机译:在SiC基板上的AlGaN / GaN Hemt中的产生 - 重组缺陷,通过低频噪声测量和SIMS表征证明了
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:通过低频噪声测量和sIms表征证明siC衬底上alGaN / GaN HEmT的生成 - 复合缺陷