SRAM chips; high-speed optical techniques; semiconductor device testing; SRAM cell; charge collection mechanisms; laser energy threshold; laser induced single event upset; laser pulse duration; Critical charge; Device simulation; Laser testing; Pulse duration; Single Event Upset;
机译:激光脉冲持续时间在单事件翻转测试中的影响
机译:脉冲激光测量的SRAM中单事件翻转阈值的空间依赖性的含义
机译:通过测量单事件瞬态脉冲宽度和单事件翻转率,对绝缘体和本体工艺上的65 nm完全耗尽硅进行辐射硬度评估
机译:激光脉冲持续时间在单一事件镦锻测试中的影响
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:Nd:YAG激光脉冲持续时间对初级瓷釉温度的影响
机译:基于超短脉冲激光局部辐照的航天器电子器件仅激光单事件效应试验方法
机译:用于单粒子翻转模拟的脉冲激光系统的表征和校准。